化学机械抛光(即Chemical Mechanical Planarization CMP)是集成电路制造工艺中的关键环节，结合了化学反应和机械研磨来实现硅片表面的高度平坦化。
随着集成电路制造工艺的演进迭代，芯片在制造各阶段的表面平坦度严重影响产品成品率及性能，其影响通过多层叠加和版图特征效应更加突出，如何实现CMP步骤的仿真、建模和优化，一直是保障芯片成品率的重要挑战。广立微CMPEXP可保障芯片的可制造性和成品率，解决行业的痛点。